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技術文章
更新時間：2025-09-11
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通過 IV測試動態響應分析定性/半定量評估容性強度
步驟：
單次閃光內完成 正向掃（Isc→Voc）和 反向掃（Voc→Isc），掃描速度≥10 V/s。
對比兩條曲線差異，計算 遲滯環面積（如圖示紅區）：
判斷標準
遲滯環面積越大 → 電容效應越強（如HJT電池達常規電池5-10倍）；
Pmax位置偏移量（|Pmax_fwd - Pmax_rev|）>1% → 高容性電池。
步驟：同一電池在0.01 V/s（慢速）至50 V/s（快速）下多次掃描，觀察Pmax附近曲線形態。
畸變類型與容性關聯：
方法：黑暗條件下快速掃描正向偏壓（0→Voc）。
特征：低電壓區出現電流遲滯 → 擴散電容主導（載流子壽命短）。
針對高容性電池（如HJT/鈣鈦礦），結合 設備優化 與 算法補償。
三段式掃描法
分區策略：
Isc/Voc附近：高速掃描（節省時間）
Pmax區域：低速掃描（dV/dt↓ → 電容電流↓）
效果：總耗時不變，Pmax誤差降低>70%。
雙向掃描融合算法
公式：Pmax_corrected = k·Pmax_fwd + (1-k)·Pmax_rev （k為遲滯權重因子）
關鍵：需通過穩態標定優化k值，非簡單平均。%。
SAT/IAT算法（德雷射科核心技術）
脈寬光源要求：
脈寬≥100 ms（容性電池需200-500 ms）
光譜穩定性AM1.5G±5%（避免光譜失配干擾）
溫度控制：25±1℃（溫度漂移1℃導致Voc漂移0.4%）
研發場景：穩態模擬器 + SAT算法 → 精度優先；
產線場景：脈沖光源 + IAT算法 → 效率與精度平衡；
HJT/鈣鈦礦：強制使用雙向掃描融合算法，Pmax誤差可控至<0.5%。
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